Vishay N Kanal, MOSFET, 39.3 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, SiJ462ADP

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

297,58 kr

(exkl. moms)

371,98 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 21 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 8014,879 kr297,58 kr
100 - 18011,90 kr238,00 kr
200 - 48011,161 kr223,22 kr
500 - 98010,416 kr208,32 kr
1000 +9,671 kr193,42 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
204-7215
Tillv. art.nr:
SiJ462ADP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

39.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SO-8

Serie

SiJ462ADP

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

7.2mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

30nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

22.3W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

5.25mm

Höjd

6.25mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

1.14mm

Fordonsstandard

Nej

Vishays N-kanal 60 V (D-S) MOSFET har en mycket låg Qg och Qoss som minskar effektförlusten och förbättrar effektiviteten. De flexibla ledningarna ger motståndskraft mot mekanisk påfrestning.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

100 % Rg och UIS-testad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.