Vishay N Kanal, MOSFET, 39.3 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, SiJ462ADP

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

23 319,00 kr

(exkl. moms)

29 148,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 21 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +7,773 kr23 319,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
204-7214
Tillv. art.nr:
SiJ462ADP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

39.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SO-8

Serie

SiJ462ADP

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

7.2mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

30nC

Maximal effektförlust Pd

22.3W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

1.14mm

Höjd

6.25mm

Längd

5.25mm

Fordonsstandard

Nej

Vishays N-kanal 60 V (D-S) MOSFET har en mycket låg Qg och Qoss som minskar effektförlusten och förbättrar effektiviteten. De flexibla ledningarna ger motståndskraft mot mekanisk påfrestning.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

100 % Rg och UIS-testad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.