Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, SiHG105N60EF

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

93,12 kr

(exkl. moms)

116,40 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 470 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +18,624 kr93,12 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
204-7209
Tillv. art.nr:
SIHG105N60EF-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

29A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

SiHG105N60EF

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

102mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

53nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Maximal effektförlust Pd

208W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

5.21mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

15.87mm

Höjd

20.7mm

Fordonsstandard

Nej

Vishays EF-serie effekt-MOSFET med snabb kroppsdiod har en 4:e generationens E-serieteknik. Den har minskade omkopplings- och ledningsförluster.

Låg meritvärdesberäkning (FOM) Ron x Qg

Låg effektiv kapacitans (Co(er)

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.