Sök efter MPN

Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, E

RS-artikelnummer:: 145-2157
Tillv. art.nr:: SIHG30N60E-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, E

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 25 enheter)*

1 196,15 kr

(exkl. moms)

1 495,20 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

450 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rör*
25 - 25	47,846 kr	1 196,15 kr
50 - 100	46,888 kr	1 172,20 kr
125 +	44,495 kr	1 112,38 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 145-2157
Tillv. art.nr:: SIHG30N60E-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	Typ N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	29A
	Maximal källspänning för dränering Vds	600V
	Kapseltyp	TO-247
	Serie	E
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	125mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	250W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	85nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Längd	15.87mm
	Höjd	20.82mm
	Bredd	5.31mm
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp Typ N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 29A
	Maximal källspänning för dränering Vds 600V
	Kapseltyp TO-247
	Serie E
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 125mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 250W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 85nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Längd 15.87mm
	Höjd 20.82mm
	Bredd 5.31mm
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: CN

N-kanal MOSFET, E-serien, låg meritfaktor, Vishay Semiconductor

Effekt-MOSFET:erna i E-serien från Vishay är högspänningstransistorer med ultralåg maximal påslagningsresistans, låg förtjänst och snabb omkoppling. De finns tillgängliga i ett brett utbud av strömklassningar. Typiska tillämpningar inkluderar servrar och telekomnätaggregat, LED-belysning, flyback-omvandlare, effektfaktorkorrigering (PFC) och switchade nätaggregat (SMPS).

Egenskaper

Låg meritfaktor (FOM) RDS(on) x Qg

Låg ingångskapacitans (Ciss)

Låg påslagningsresistans (RDS(on))

Ultralåg grindladdning (Qg)

Snabbväxlande

Minskade kopplings- och ledningsförluster

MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.