onsemi N Kanal, MOSFET, 17.3 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NVH AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 202-5743
- Tillv. art.nr:
- NVH4L160N120SC1
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
435,23 kr
(exkl. moms)
544,04 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 02 augusti 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 87,046 kr | 435,23 kr |
| 50 + | 75,018 kr | 375,09 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 202-5743
- Tillv. art.nr:
- NVH4L160N120SC1
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 17.3A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | NVH | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 160mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 34nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 4V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V | |
| Maximal effektförlust Pd | 111W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 22.74mm | |
| Längd | 15.8mm | |
| Bredd | 5.2mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 and PPAP Capable | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 17.3A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie NVH | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 160mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 34nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 4V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V | ||
Maximal effektförlust Pd 111W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 22.74mm | ||
Längd 15.8mm | ||
Bredd 5.2mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 and PPAP Capable | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Kiselkarbid (SiC) MOSFET, N-kanal - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO247−4L
ON Semiconductor silikonkarbid effekt-MOSFET körs med 17,3 ampere och 1200 volt. Den kan användas i fordonsinbyggda laddare, DC- eller DC-omvandlartillämpningar.
AEC Q101-kvalificerade
100 % avalanche-testade
Låg effektiv utgångskapacitet
RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 17.3 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NVH AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NVH AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NVH AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NVH AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NVH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 102 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NVH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 17.3 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247 AEC-Q101