onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NVH AEC-Q101

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

739,20 kr

(exkl. moms)

924,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 576 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 +369,60 kr739,20 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
202-5745
Tillv. art.nr:
NVHL040N120SC1
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

60A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Kapseltyp

TO-247

Serie

NVH

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

40mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

174W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

106nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

25V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

20.25mm

Bredd

4.82mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

15.87mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Kiselkarbid (SiC) MOSFET, N-kanal - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO247−3L Kiselkarbid MOSFET, N-kanal, 1200 V, 40 mΩ, TO247-3L


ON Semiconductor silikonkarbid effekt-MOSFET körs med 60 ampere och 1200 volt. Den kan användas i fordonsinbyggda laddare, DC- eller DC-omvandlartillämpningar.

AEC Q101-kvalificerade

100 % UIL-testad

Låg effektiv utgångskapacitet

RoHS-kompatibel

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.