onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 189-0419
- Tillv. art.nr:
- NVHL080N120SC1
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
142,35 kr
(exkl. moms)
177,94 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 28 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 142,35 kr |
| 10 + | 122,75 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 189-0419
- Tillv. art.nr:
- NVHL080N120SC1
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 44A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 162mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 4V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 56nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 348W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 20.82mm | |
| Längd | 15.87mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 44A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 162mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 4V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 56nC | ||
Maximal effektförlust Pd 348W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 20.82mm | ||
Längd 15.87mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Kiselkarbid (SiC) MOSFET, N-kanal - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO247−3
MOSFET av kiselkarbid (SiC) använder en helt ny teknik som ger överlägsen omkopplingsprestanda och högre tillförlitlighet jämfört med kisel. Dessutom säkerställer det låga ON-motståndet och kompakta chipstorleken låg kapacitans och grindladdning. Följaktligen inkluderar systemfördelarna högsta effektivitet, snabbare driftfrekvens, ökad effekttäthet, minskad EMI och minskad systemstorlek.
Klassad för 1200 V
Max RDS(on) = 110 mΩ vid Vgs = 20 V, Id = 20 A
Höghastighetsomkoppling och låg kapacitans
Enheterna är blyfria
Användningsområden
PFC
OBC
End Products
DC/DC-omvandlare för fordon för elfordon/PHEV
Inbyggd laddare för bilar
Hjälpmotordrivare för fordon
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247 AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-247, NTH AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTH AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NVH AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NVH AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NVH AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 17.3 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NVH AEC-Q101