onsemi N Kanal, MOSFET, 17.3 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NVH AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 450 enheter)*

34 674,30 kr

(exkl. moms)

43 343,10 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 02 augusti 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
450 +77,054 kr34 674,30 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
202-5741
Tillv. art.nr:
NVH4L160N120SC1
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

17.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Kapseltyp

TO-247

Serie

NVH

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

160mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

111W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

34nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

25V

Framåtriktad spänning Vf

4V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

15.8mm

Höjd

22.74mm

Standarder/godkännanden

AEC-Q101 and PPAP Capable

Bredd

5.2mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Kiselkarbid (SiC) MOSFET, N-kanal - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO247−4L


ON Semiconductor silikonkarbid effekt-MOSFET körs med 17,3 ampere och 1200 volt. Den kan användas i fordonsinbyggda laddare, DC- eller DC-omvandlartillämpningar.

AEC Q101-kvalificerade

100 % avalanche-testade

Låg effektiv utgångskapacitet

RoHS-kompatibel

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.