STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 68 A 650 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-247, ST
- RS-artikelnummer:
- 202-5549
- Tillv. art.nr:
- STW70N65DM6-4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
134,40 kr
(exkl. moms)
168,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 134,40 kr |
| 10 - 99 | 96,63 kr |
| 100 - 599 | 92,80 kr |
| 600 + | 91,69 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 202-5549
- Tillv. art.nr:
- STW70N65DM6-4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 68A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | ST | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.036Ω | |
| Kanalläge | Avskrivningar | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 125nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 450W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 41.2mm | |
| Bredd | 5.1mm | |
| Längd | 15.9mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 68A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie ST | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.036Ω | ||
Kanalläge Avskrivningar | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 125nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 450W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 41.2mm | ||
Bredd 5.1mm | ||
Längd 15.9mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
STMicroelectronics N-kanals Power MOSFET är en del av MDmeshTM DM6-seriens snabba återhämtningsdioder. Jämfört med föregående MDmesh snabb generation kombinerar DM6 mycket låg återhämtningsladdning (Qrr), återhämtningstid (trr) och utmärkt förbättring av RDS(on) per område med ett av de mest effektiva omkopplingsbeteenden som finns på marknaden.
100 % avalanche-testade
Zener-skyddad
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 68 A 650 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-247, ST
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 52 A 600 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-247, ST
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 62 A 600 V Avskrivningar, 4 Ben, TO-247, ST
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 39 A 600 V Avskrivningar, 4 Ben, TO-247, ST
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET-moduler, 38 A 600 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-247, ST
- STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET 650 V Avskrivningar, 9 Ben, ACEPACK SMIT, HB
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 33 A 1200 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT