STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 68 A 650 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-247, ST

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 enhet)*

134,94 kr

(exkl. moms)

168,68 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 433 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +134,94 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
202-5547
Tillv. art.nr:
STW70N65DM6
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

68A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

TO-247

Serie

ST

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

0.036Ω

Kanalläge

Avskrivningar

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

125nC

Maximal effektförlust Pd

450W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

41.2mm

Längd

15.9mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

STMicroelectronics N-kanals Power MOSFET är en del av MDmeshTM DM6-seriens snabba återhämtningsdioder. Jämfört med föregående MDmesh snabb generation kombinerar DM6 mycket låg återhämtningsladdning (Qrr), återhämtningstid (trr) och utmärkt förbättring av RDS(on) per område med ett av de mest effektiva omkopplingsbeteenden som finns på marknaden.

100 % avalanche-testade

Zener-skyddad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.