STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 68 A 650 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-247, ST
- RS-artikelnummer:
- 202-5547P
- Tillv. art.nr:
- STW70N65DM6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal 1 enhet (levereras i ett rör)*
134,94 kr
(exkl. moms)
168,68 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 433 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 134,94 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 202-5547P
- Tillv. art.nr:
- STW70N65DM6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 68A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | ST | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.036Ω | |
| Kanalläge | Avskrivningar | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 450W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 125nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 41.2mm | |
| Längd | 15.9mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 68A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie ST | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.036Ω | ||
Kanalläge Avskrivningar | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 450W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 125nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 41.2mm | ||
Längd 15.9mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
STMicroelectronics N-kanals Power MOSFET är en del av MDmeshTM DM6-seriens snabba återhämtningsdioder. Jämfört med föregående MDmesh snabb generation kombinerar DM6 mycket låg återhämtningsladdning (Qrr), återhämtningstid (trr) och utmärkt förbättring av RDS(on) per område med ett av de mest effektiva omkopplingsbeteenden som finns på marknaden.
100 % avalanche-testade
Zener-skyddad
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 68 A 650 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-247, ST
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 52 A 600 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-247, ST
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 62 A 600 V Avskrivningar, 4 Ben, TO-247, ST
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 39 A 600 V Avskrivningar, 4 Ben, TO-247, ST
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET-moduler, 38 A 600 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-247, ST
- STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET 650 V Avskrivningar, 9 Ben, ACEPACK SMIT, HB
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 1200 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT