STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 68 A 650 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-247, ST

Se alla MOSFET-transistor

Antal 1 enhet (levereras i ett rör)*

134,94 kr

(exkl. moms)

168,68 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 433 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +134,94 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
202-5547P
Tillv. art.nr:
STW70N65DM6
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

68A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Serie

ST

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

0.036Ω

Kanalläge

Avskrivningar

Maximal effektförlust Pd

450W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

125nC

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

15.9mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

41.2mm

Fordonsstandard

Nej

STMicroelectronics N-kanals Power MOSFET är en del av MDmeshTM DM6-seriens snabba återhämtningsdioder. Jämfört med föregående MDmesh snabb generation kombinerar DM6 mycket låg återhämtningsladdning (Qrr), återhämtningstid (trr) och utmärkt förbättring av RDS(on) per område med ett av de mest effektiva omkopplingsbeteenden som finns på marknaden.

100 % avalanche-testade

Zener-skyddad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.