STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET 650 V Avskrivningar, 9 Ben, ACEPACK SMIT, HB

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

207,65 kr

(exkl. moms)

259,56 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 200 enhet(er) från den 17 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 9207,65 kr
10 - 99191,63 kr
100 - 199189,39 kr
200 +187,04 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
152-183
Tillv. art.nr:
STGSH80HB65DAG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

ACEPACK SMIT

Serie

HB

Typ av fäste

Yta

Antal ben

9

Kanalläge

Avskrivningar

Maximal effektförlust Pd

250W

Framåtriktad spänning Vf

1.9V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

456nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

Automotive-grade

Höjd

4.05mm

Längd

25.20mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
STMicroelectronics-enheten kombinerar två IGBT och dioder i halvbro-topologi monterad på ett mycket kompakt och robust hus som är lätt att montera på ytan. Enheten är en del av HB-serien av IGBT, som är optimerad för både ledningsförluster och växlingsförluster för mjuk omkoppling. En fritt roterande diod med låg spänningsfall ingår i varje omkopplare.

AQG 324-kvalificerad

Höghastighetsomkopplingsserien

Minimerad slutström

Tight parameterfördelning

Lågt värmebeständighet tack vare DBC-substrat

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.