STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 65 A 1200 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
202-5478
Tillv. art.nr:
SCT50N120
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

65A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Serie

SCT

Kapseltyp

Hip-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

0.59Ω

Kanalläge

Avskrivningar

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

318W

Framåtriktad spänning Vf

3.5V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

122nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

25V

Maximal arbetstemperatur

200°C

Bredd

5.15mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

15.75mm

Höjd

34.95mm

Fordonsstandard

Nej

STMicroelectronics silikonkarbid-effekt-MOSFET tillverkas med hjälp av de avancerade, innovativa egenskaperna hos breda bandgap-material. Detta resulterar i ett oöverträffat på-motstånd per enhet och mycket god omkopplingsprestanda nästan oberoende av temperatur.

Mycket snabb och robust inre kroppsdiod

Låg kapacitans

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.