STMicroelectronics N Kanal, MOSFET-moduler, 33 A 1.2 kV Avskrivningar, 7 Ben, H2PAK-7, SCT

För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
202-5484
Tillv. art.nr:
SCTH40N120G2V7AG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET-moduler

Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id)

33 A

Maximal källspänning för dränering (Vds)

1.2 kV

Kanalläge

Avskrivningar

Antal ben

7

Kapseltyp

H2PAK-7

Serie

SCT

Maximal drain-källresistans (Rds)

0.105 Ω

Typ av fäste

Yta

The STMicroelectronics automotive-grade silicon carbide power MOSFET has been developed using ST’s Advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.