Vishay 2 N Kanal Gemensam drain, Effekt-MOSFET, 60 A 25 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
RS-artikelnummer:
188-4890
Tillv. art.nr:
SISF02DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

60A

Maximal källspänning för dränering Vds

25V

Serie

TrenchFET Gen IV

Kapseltyp

PowerPAK 1212

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

37nC

Maximal effektförlust Pd

69.4W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-12V, +16V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

+150°C

Transistorkonfiguration

Gemensam drain

Längd

3.4mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

3.4mm

Höjd

0.75mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

Gemensam drain dubbel N-kanal 25 V (S1-S2) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV effekt-MOSFET

Mycket låg käll-till-källmotstånd

Integrerade n-kanals MOSFET med gemensam drain i ett kompakt och termiskt förbättrat paket

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.