Vishay 2 N Kanal Gemensam drain, Effekt-MOSFET, 60 A 25 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- RS-artikelnummer:
- 188-4890
- Tillv. art.nr:
- SISF02DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
24 015,00 kr
(exkl. moms)
30 018,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 09 november 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 8,005 kr | 24 015,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 188-4890
- Tillv. art.nr:
- SISF02DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 60A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 25V | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212 | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 69.4W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 37nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -12V, +16V | |
| Transistorkonfiguration | Gemensam drain | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.4mm | |
| Bredd | 3.4mm | |
| Höjd | 0.75mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 60A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 25V | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212 | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 69.4W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 37nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -12V, +16V | ||
Transistorkonfiguration Gemensam drain | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.4mm | ||
Bredd 3.4mm | ||
Höjd 0.75mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Gemensam drain dubbel N-kanal 25 V (S1-S2) MOSFET.
TrenchFET® Gen IV effekt-MOSFET
Mycket låg käll-till-källmotstånd
Integrerade n-kanals MOSFET med gemensam drain i ett kompakt och termiskt förbättrat paket
Relaterade länkar
- Vishay 2 N Kanal Gemensam drain, Effekt-MOSFET, 60 A 25 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay 2 N Kanal Gemensam drain, Effekt-MOSFET, 52 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay N Kanal, MOSFET, 108 A 45 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay N Kanal, MOSFET, 92.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 127.5 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen III
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 35 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen III
- Vishay N Kanal, MOSFET, 361 A 80 V N, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, TrenchFET Gen IV