Vishay N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Gen IV
- RS-artikelnummer:
- 200-6839
- Tillv. art.nr:
- SIDR638DP-T1-RE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 200-6839
- Tillv. art.nr:
- SIDR638DP-T1-RE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.16mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 204nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.15mm | |
| Höjd | 610μm | |
| Bredd | 5.15mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.16mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 204nC | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.15mm | ||
Höjd 610μm | ||
Bredd 5.15mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay SIDR638DP-T1-RE3 är en N-kanal 40 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Mycket låg RDS - Qg meritfaktor (FOM)
Inställd för den lägsta RDS - Qoss FOM
Kylfunktionen på ovansidan ger ytterligare plats för värmeöverföring
100 % Rg och UIS-testad
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay N Kanal, MOSFET, 65.8 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay N Kanal, MOSFET, 81 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay N Kanal, MOSFET, 110 A 45 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 18.3 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay N Kanal, MOSFET, 11 A 45 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay N Kanal, MOSFET, 108 A 45 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay N Kanal, MOSFET, 92.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV