Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 18 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, EF
- RS-artikelnummer:
- 200-6819
- Tillv. art.nr:
- SIHP186N60EF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
299,71 kr
(exkl. moms)
374,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 980 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 29,971 kr | 299,71 kr |
| 20 - 40 | 28,168 kr | 281,68 kr |
| 50 - 90 | 25,48 kr | 254,80 kr |
| 100 - 240 | 23,979 kr | 239,79 kr |
| 250 + | 22,49 kr | 224,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 200-6819
- Tillv. art.nr:
- SIHP186N60EF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 18A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | EF | |
| Kapseltyp | TO-220AB | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 193mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 32nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 156W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Längd | 10.52mm | |
| Höjd | 14.4mm | |
| Bredd | 4.65mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 18A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie EF | ||
Kapseltyp TO-220AB | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 193mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 32nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal effektförlust Pd 156W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Längd 10.52mm | ||
Höjd 14.4mm | ||
Bredd 4.65mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay EF-serien effekt-MOSFET, 650 V drain-källspänning, 18 A drain-ström – SIHP186N60EF-GE3
Denna effekt-MOSFET är en högspänningsomkopplingsenhet som är utformad för krävande kraftelektronikroller i industriella system. Den fungerar som en N-kanalförstärkningstransistor för styrning av högspännings-DC-laster och omkopplingssteg, avsedd för genomgående hålmontering i utrustning där robust ledning och värmehantering krävs.
Funktioner och fördelar:
• Maximal dräneringsspänning på 650 V möjliggör högspänningsomkoppling
• Kontinuerlig dräneringsström på 18 A stöder betydande belastningsströmmar
• 193 mΩ RDS(on) minskar ledningsförluster under drift
• 32 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbar omkopplingsprestanda
• Maximal effektförlust på 156 W underlättar termiska designval
• 30 V grindtolerans möjliggör flexibla drivspänningsområden
• Kontinuerlig dräneringsström på 18 A stöder betydande belastningsströmmar
• 193 mΩ RDS(on) minskar ledningsförluster under drift
• 32 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbar omkopplingsprestanda
• Maximal effektförlust på 156 W underlättar termiska designval
• 30 V grindtolerans möjliggör flexibla drivspänningsområden
Användningsområden
• Lämplig för högspänningsväxelriktare i industriella drivenheter
• Idealisk för switchade nätaggregat som hanterar förhöjda DC-busspänningar
• Används för diskreta effektsteg i automations- och motorstyrningsenheter
• Kan användas för belastningsomkoppling i strömfördelningsmoduler
• Idealisk för switchade nätaggregat som hanterar förhöjda DC-busspänningar
• Används för diskreta effektsteg i automations- och motorstyrningsenheter
• Kan användas för belastningsomkoppling i strömfördelningsmoduler
Vilket driftstemperaturområde tål den?
Den fungerar från -55 °C till 150 °C, vilket möjliggör användning i varierade termiska miljöer och tillämpningar med förhöjd temperatur.
Hur är enheten avsedd att monteras i utrustning?
Den levereras i en TO-220AB-förpackning med genomgående hål med tre stift som är lämplig för säker kretskortsmontering och enkla alternativ för kylelement.
Vilken är den förväntade gate-drivkarakteristiken för omkopplingsdesign?
Med en typisk grindladdning på 32 nC vid nominella förhållanden kan konstruktörer uppskatta grinddrivenergi och välja lämpliga drivrutiner för målomkopplingshastigheter.
Vilka mekaniska överväganden bör noteras?
Förpackningen har kompakta yttre mått med en måttlig profil, vilket underlättar integrering där vertikal frihet och korthållning är faktorer.
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 18 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, EF
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 29 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, EF
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, EF
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 34 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, EF
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 6.4 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, E
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 35 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, E
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 20 A 800 V, 3 Ben, TO-220AB, EF
- Vishay 1 Typ N Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 21 A 600 V, 3 Ben, TO-220AB, EF