Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 29 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, EF

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (50 enheter, på en rulle med 50)*

1 639,70 kr

(exkl. moms)

2 049,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 50 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
50 - 5032,794 kr1 639,70 kr
100 - 20030,827 kr1 541,35 kr
250 +27,875 kr1 393,75 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
200-6794
Tillv. art.nr:
SiHP105N60EF-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

29A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Serie

EF

Kapseltyp

TO-220AB

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

88mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

53nC

Maximal effektförlust Pd

208W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

10.52mm

Höjd

14.4mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Bredd

4.65mm

Fordonsstandard

Nej

Vishay EF-serien effekt-MOSFET, 650 V drain-källspänning, 29 A kontinuerlig drain-ström – SiHP105N60EF-GE3


Denna effekt-MOSFET är en högspänningsomkopplingsenhet som är utformad för krävande roller för strömomvandling och styrning i industriella och elektroniska system. Det är en N-kanaltransistor med förstärkningsläge som levereras i en TO-220AB-kapsel med genomgående hål, avsedd att hantera förhöjda spänningar och långvariga strömmar samtidigt som den arbetar över ett brett temperaturområde.

Funktioner och fördelar:


• 650 V avtappningsklassning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• 29 A kontinuerlig dräneringskapacitet stöder betydande belastningsströmmar
• Maximalt förlust på 208 W möjliggör hantering av hög effekt
• 88 mΩ Rds(on) minimerar ledningsförluster vid nominella förhållanden
• 53 nC typisk grindladdning optimerar kraven på omkopplingsenergi och drivning
• 30 V gate-tolerans möjliggör robusta gate-drivmarginaler

Användningsområden


• Lämplig för SMPS-omkopplingsstegen på primärsidan
• Idealisk för industriella motorstyrningsväxelriktare
• Används för högspännings-DC-DC-omvandlare i nätaggregat
• Kan användas för elektronisk last- och effekttestutrustning
• Används med diskreta omkopplartopologier vid effektfaktorkorrigering

Vilka termiska extremer tål den under drift?


Enheten är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i både kalla startmiljöer och installationer med förhöjd temperatur.

Hur monteras och integreras den i en kretskortskonstruktion?


Den använder en TO-220AB-kapsel med genomgående hål med tre stift och en monteringsflik för kylfläns, vilket möjliggör enkel kretskortsfixering och värmehantering via en kylfläns fäst på fliken.

Vilka överväganden om gate-drivning bör observeras?


Den maximala grind-till-källa-klassningen är 30 V

grinddrivarens spänningar bör hållas inom denna gräns och matchas till den typiska grindladdningen på 53 nC för att säkerställa effektiv omkoppling utan att överbelasta grinden.

Vilka främre spänningsegenskaper är relevanta under ledning?


Den framåtriktade spänningen är 1,2 V, vilket underbygger beräkningar av ledningsförluster i lågspänningsströmsvägar och bedömningar av kroppsdiodernas prestanda.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.