onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- RS-artikelnummer:
- 189-0439
- Tillv. art.nr:
- NTHL095N65S3HF
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Försörjningsbrist
På grund av en global utbudsbrist vet vi inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 189-0439
- Tillv. art.nr:
- NTHL095N65S3HF
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 36A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | NTHL | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 95mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 272W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 66nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 20.82mm | |
| Längd | 15.87mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 36A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie NTHL | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 95mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 272W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 66nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 20.82mm | ||
Längd 15.87mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
SUPERFET III MOSFET är ON Semiconductors helt nya högspännings-Super-Junction (SJ) MOSFET-familj som använder laddningsbalansteknik för utmärkt låg påslagningsresistans och lägre gate-laddningsprestanda. Denna avancerade teknik är skräddarsydd för att minimera ledningsförluster, ge överlägsen omkopplingsprestanda och motstå extrema dv/dt-hastigheter. Följaktligen är SUPERFET III MOSFET mycket lämplig för de olika kraftsystemen för miniatyrisering och högre effektivitet. SUPERFET III FRFET MOSFET: s optimerade omvända återställningsprestanda för kroppsdioden kan ta bort ytterligare komponenter och förbättra systemets tillförlitlighet.
700 V vid TJ = 150 °C
Ultralåg grindladdning (typ. Qg = 66 nC)
Låg effektiv utgångskapacitans (typ. Coss(eff.) = 569 pF)
Utmärkt kroppsdiodprestanda (låg Qrr, robust kroppsdiod)
Optimerad kapacitans
Typiskt RDS(on) = 78 mΩ
Fördelar
Lägre topp-Vds och lägre Vgs-oscillation
Högre systemtillförlitlighet i LLC- och fasförskjutningskrets med full brygga
Lägre omkopplingsförlust
Högre systemtillförlitlighet vid lågtemperaturdrift
Användningsområden
Telekommunikation
Molnsystem
Industri
End Products
Telekommunikationsströmförsörjning
Serverström
EV-laddare
Solenergi/UPS
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 65 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL