onsemi N Kanal, MOSFET, 46 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- RS-artikelnummer:
- 214-8893
- Tillv. art.nr:
- NTHL065N65S3HF
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Få en mängdrabatt
Lägg till 10 till för att spara 13%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
108,98 kr
(exkl. moms)
136,22 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 10 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 108,98 kr | - |
| 10 + | 93,97 kr | 13% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-8893
- Tillv. art.nr:
- NTHL065N65S3HF
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 46A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | NTHL | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 65mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 98nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 337W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 5.1mm | |
| Längd | 15.9mm | |
| Bredd | 21.1mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 46A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie NTHL | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 65mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 98nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 337W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 5.1mm | ||
Längd 15.9mm | ||
Bredd 21.1mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ON Semiconductor MOSFET är en helt ny MOSFET-familj med högspänning och superkoppling som använder laddningsbalansteknik för utmärkt låg påslagningsresistans och lägre grindladdningsprestanda. Denna avancerade teknik är skräddarsydd för att minimera ledningsförluster, ger överlägsen omkopplingsprestanda och tål extrema dv/dt-hastigheter.
Blyfria
RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 46 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- onsemi N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- onsemi N Kanal, MOSFET, 65 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- onsemi N Kanal, MOSFET, 36 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- onsemi N Kanal, MOSFET, 70 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- onsemi N Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- onsemi N Kanal, MOSFET, 75 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- onsemi N Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL