onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 enhet)*

134,40 kr

(exkl. moms)

168,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Försörjningsbrist
  • Dessutom levereras 411 enhet(er) från den 08 juni 2026
Vårt nuvarande lager är begränsat och våra leverantörer förväntar sig brist.

Enheter
Per enhet
1 - 9134,40 kr
10 +115,81 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
189-0397
Tillv. art.nr:
NTHL033N65S3HF
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

70A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Serie

NTHL

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

33mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

188nC

Maximal effektförlust Pd

500W

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

20.82mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

15.87mm

Fordonsstandard

Nej

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III MOSFET is very suitable for the various power systems for miniaturization and higher efficiency. SUPERFET III FRFET MOSFET’s optimized reverse recovery performance of body diode can remove additional component and improve system reliability.

700 V @ TJ = 150 °C

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 188 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 1568 pF)

Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 28 mΩ

Benefits

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit

Lower switching loss

Higher system reliability at low temperature operation

Applications

Telecommunication

Cloud system

Industrial

End Products

Telecom power

Server power

EV charger

Solar / UPS

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.