onsemi N Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 248-5815
- Tillv. art.nr:
- NTH4L060N065SC1
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig
- RS-artikelnummer:
- 248-5815
- Tillv. art.nr:
- NTH4L060N065SC1
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 58A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | NTH | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 22mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 22V | |
| Maximal effektförlust Pd | 117W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 74nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 58A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie NTH | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 22mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 22V | ||
Maximal effektförlust Pd 117W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 74nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Kiselkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L
ON Semiconductor silikonkarbid (SiC) MOSFET är en N-kanal MOSFET med 650 V drain-till-källspänning och 176 W effektförlust, TO247-4L-förpackning och denna enhet är halidfri och RoHS-kompatibel med undantag 7a, Pb-fri 2LI.
Ultralåg grindladdning 74 nC
Låg kapacitans 133 pF
100-procentigt lavintestat
Temperatur 175 °C
RDS(on) 44 mohm
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, TO-247, NTH AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTH AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 58 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 84 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 17.3 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH