STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 9 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- RS-artikelnummer:
- 188-8295
- Tillv. art.nr:
- STP6N95K5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
739,20 kr
(exkl. moms)
924,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 800 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 14,784 kr | 739,20 kr |
| 250 - 450 | 14,414 kr | 720,70 kr |
| 500 + | 14,015 kr | 700,75 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 188-8295
- Tillv. art.nr:
- STP6N95K5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 950V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.25Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 90W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 4.6mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.4mm | |
| Höjd | 15.75mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 950V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.25Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximal effektförlust Pd 90W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 4.6mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.4mm | ||
Höjd 15.75mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Dessa N-kanal-effekt-MOSFET:er med mycket hög spänning är utformade med MDmeshTM K5-teknik baserad på en innovativ egenutvecklad vertikal struktur. Resultatet är en dramatisk minskning av påslagningsresistans och ultralåg grindladdning för tillämpningar som kräver överlägsen effekttäthet och hög effektivitet.
Ultralåg grindladdning
Zener-skyddad
Användningsområden
Omkopplingstillämpningar
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 17.5 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh, SuperMESH
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh K5, SuperMESH5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 8 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh K5, SuperMESH5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-220FP, MDmesh K5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh K5
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh M2