STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 9 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, STripFET

Denna bild representerar endast produktgruppen

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (50 enheter, i ett rör med 50)*

519,45 kr

(exkl. moms)

649,30 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 50 enhet(er) är redo att levereras
  • Dessutom levereras 400 enhet(er) från den 06 januari 2027
  • Dessutom levereras 450 enhet(er) från den 20 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 45010,389 kr519,45 kr
500 - 12009,839 kr491,95 kr
1250 +9,33 kr466,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
920-6673
Tillv. art.nr:
IRF630
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

9A

Maximal källspänning för dränering Vds

200V

Kapseltyp

TO-220

Serie

STripFET

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

400mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

31nC

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Maximal effektförlust Pd

75W

Minsta arbetsstemperatur

-65°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

10.4mm

Bredd

4.6mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

9.15mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanal STripFETTM, STMicroelectronics


MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.