STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 9 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh K5

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

38 022,50 kr

(exkl. moms)

47 527,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +15,209 kr38 022,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
151-924
Tillv. art.nr:
STD6N95K5
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

9A

Maximal källspänning för dränering Vds

950V

Kapseltyp

TO-252

Serie

MDmesh K5

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.25Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

9.6nC

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

2.4mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Längd

10.1mm

Bredd

6.6mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
STMicroelectronics effekt-MOSFET är utformad med hjälp av MDmesh K5-teknik som baseras på en innovativ egenutvecklad vertikal struktur. Resultatet är en dramatisk minskning av påslagningsresistans och ultralåg grindladdning för applikationer som kräver överlägsen effekttäthet och hög effektivitet.

Branschens lägsta RDS(on) x område

Branschens bästa FoM

Ultralåg grindladdning

100 % avalanche-testade

Zenerskyddad

Relaterade länkar