Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSHA10DN

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

225,675 kr

(exkl. moms)

282,10 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 25 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 +9,027 kr225,68 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
188-5146
Tillv. art.nr:
SISHA10DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

30A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

SiSHA10DN

Kapseltyp

PowerPAK 1212

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

39W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

34nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

0.93mm

Längd

3.3mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Relaterade länkar