Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSHA12ADN
- RS-artikelnummer:
- 188-4936
- Tillv. art.nr:
- SiSHA12ADN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
268,575 kr
(exkl. moms)
335,725 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 30 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 10,743 kr | 268,58 kr |
| 125 - 225 | 10,206 kr | 255,15 kr |
| 250 - 600 | 9,121 kr | 228,03 kr |
| 625 - 1225 | 6,55 kr | 163,75 kr |
| 1250 + | 5,152 kr | 128,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 188-4936
- Tillv. art.nr:
- SiSHA12ADN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 25A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | SiSHA12ADN | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 29.5nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 28W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3.3mm | |
| Höjd | 0.93mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 25A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie SiSHA12ADN | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 29.5nC | ||
Maximal effektförlust Pd 28W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3.3mm | ||
Höjd 0.93mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanalig 30 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen IV effekt-MOSFET
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSHA12ADN
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 85 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSHA10DN
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 12.3 A 250 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS92DN
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 181.8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS60DN
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 81.2 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS26LDN
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSHA14DN
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 45.1 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiS126DN