Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SiHP22N60EF

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

72,55 kr

(exkl. moms)

90,70 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 4 620 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +14,51 kr72,55 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
188-4996
Tillv. art.nr:
SIHP22N60EF-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

19A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-220

Serie

SiHP22N60EF

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

182mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

179W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

48nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

9.01mm

Bredd

4.65mm

Längd

10.51mm

Fordonsstandard

Nej

EF-seriens effekt-MOSFET med snabbdiod (Fast Body Diode).

Låg meritvärdesberäkning (FOM) Ron x Qg

Låg ingångskapacitans (Ciss)

Minskade kopplings- och ledningsförluster

ANSÖKNINGAR

Nätaggregat för server och telekom

Strömförsörjning med omkopplare (SMPS)

Nätaggregat med effektfaktorkorrigering (PFC)

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.