Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, SiHG22N60EF
- RS-artikelnummer:
- 188-4992
- Distrelec artikelnummer:
- 304-38-849
- Tillv. art.nr:
- SIHG22N60EF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
120,96 kr
(exkl. moms)
151,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 444 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 60,48 kr | 120,96 kr |
| 20 - 48 | 54,43 kr | 108,86 kr |
| 50 - 98 | 51,41 kr | 102,82 kr |
| 100 - 198 | 48,33 kr | 96,66 kr |
| 200 + | 46,37 kr | 92,74 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 188-4992
- Distrelec artikelnummer:
- 304-38-849
- Tillv. art.nr:
- SIHG22N60EF-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 19A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | SiHG22N60EF | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 182mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 48nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 179W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 15.87mm | |
| Höjd | 20.82mm | |
| Bredd | 5.31mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 19A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie SiHG22N60EF | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 182mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 48nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal effektförlust Pd 179W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 15.87mm | ||
Höjd 20.82mm | ||
Bredd 5.31mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
EF-seriens effekt-MOSFET med snabbdiod (Fast Body Diode).
Låg meritvärdesberäkning (FOM) Ron x Qg
Låg ingångskapacitans (Ciss)
Minskade kopplings- och ledningsförluster
ANSÖKNINGAR
Nätaggregat för server och telekom
Strömförsörjning med omkopplare (SMPS)
Nätaggregat med effektfaktorkorrigering (PFC)
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, SiHG22N60EF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 600 V Förbättring, 3 Ben, Super-247
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 38 A 600 V Förbättring, 3 Ben, Super-247
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, SiHG105N60EF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 48 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, SiHG052N60EF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, EF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 61 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, SiHG039N60EF
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 8.4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, EF