Vishay N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, TrenchFET AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
188-4914
Tillv. art.nr:
SQD50034E_GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

100A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

TO-252

Serie

TrenchFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

0.0039Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

90nC

Maximal effektförlust Pd

107W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

9.65mm

Längd

10.41mm

Standarder/godkännanden

AEC-Q101

Höjd

4.57mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Fordons-N-kanal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET

TrenchFET® effekt-MOSFET

Förpackning med låg termisk resistans

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.