Vishay N Kanal, MOSFET, 30 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 228-2947
- Tillv. art.nr:
- SQD40052EL_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 228-2947
- Tillv. art.nr:
- SQD40052EL_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 30A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 830mV | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 62W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 34.5nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 30A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 830mV | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 62W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 34.5nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Vishay TrenchFET fordons-N-kanal är en 40 V effekt-MOSFET.
100 % Rg och UIS-testad
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, MOSFET, 30 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -50 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, TrenchFET effekt-MOSFET, 25 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 4 Ben, TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 4 Ben, TO-252, TrenchFET AEC-Q101