Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -50 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 904-967
- Tillv. art.nr:
- SQD50P04-09L_NE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Denna bild representerar endast produktgruppen
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 1 enhet)*
25,42 kr
(exkl. moms)
31,78 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 30 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Tejp(er) | Per tejp |
|---|---|
| 1 - 9 | 25,42 kr |
| 10 - 99 | 16,13 kr |
| 100 - 499 | 10,75 kr |
| 500 - 999 | 8,74 kr |
| 1000 + | 7,95 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 904-967
- Tillv. art.nr:
- SQD50P04-09L_NE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | P-kanal | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -50A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -40V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0094Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 103nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal effektförlust Pd | 136W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | ROHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp P-kanal | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -50A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -40V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0094Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 103nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal effektförlust Pd 136W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden ROHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- TW
Vishays P-kanal MOSFET är utformad för att effektivt hantera ström i miljöer med höga temperaturer. Den fungerar effektivt i fordonstillämpningar med sina robusta specifikationer.
Halogenfri, överensstämmer med IEC 61249-2-21 för miljövänlig användning
Har låg påslagningsresistans, vilket säkerställer effektiv prestanda
Kvalificerad enligt AEC-Q101, uppfyller strikta fordonsstandarder
Exceptionell värmebeständighet för bättre prestanda under höga belastningar
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 4 Ben, TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 4 Ben, TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -30 A -30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 30 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, TrenchFET effekt-MOSFET, 1.7 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-236, TrenchFET AEC-Q101