Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 180-7967
- Tillv. art.nr:
- SQD50P06-15L_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
196,22 kr
(exkl. moms)
245,28 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- 115 kvar, redo att levereras
- Sista 1 360 enhet(er) levereras från den 05 november 2026
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 39,244 kr | 196,22 kr |
| 50 - 120 | 33,354 kr | 166,77 kr |
| 125 - 245 | 30,218 kr | 151,09 kr |
| 250 - 495 | 24,372 kr | 121,86 kr |
| 500 + | 21,236 kr | 106,18 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 180-7967
- Tillv. art.nr:
- SQD50P06-15L_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 50A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 20mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 136W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.5V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 98nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 6.73mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.41mm | |
| Höjd | 2.38mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 50A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 20mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 136W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.5V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 98nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 6.73mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.41mm | ||
Höjd 2.38mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- TW
Vishay MOSFET
Vishays ytmonterade P-kanal MOSFET är en ny produkt med en dräneringskällspänning på 60 V och en maximal grindkällspänning på 20 V. Den har drain-source-motstånd på 15,5 mohm vid en gate-source-spänning på 10 V. Den har kontinuerlig dräneringsström på 50 A och maximal effektförlust på 136 W. Minsta och maximala drivspänning för denna transistor är 4,5 V respektive 10 V. Den används i fordonstillämpningar. MOSFET har optimerats för lägre omkopplings- och ledningsförluster. MOSFET erbjuder utmärkt effektivitet tillsammans med en lång och produktiv livslängd utan att kompromissa med prestanda eller funktionalitet.
Funktioner och fördelar
• Halogenfria
• Fri från bly (Pb)
• Driftstemperaturområden mellan -55 °C och 175 °C
• Förpackning med låg termisk resistans
• TrenchFET effekt MOSFET
Användningsområden
• Adapteromkopplare
• Lastomkopplare
Certifieringar
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg-testad
• UIS-testat
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -50 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 4 Ben, TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 4 Ben, TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, Enkla MOSFETs, 50 A -60 V Förbättringsläge, 3 Ben, TO-252, SQD AEC-Q101
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -30 A -30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 30 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, TrenchFET AEC-Q101