Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 81.2 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS26LDN
- RS-artikelnummer:
- 188-4901
- Tillv. art.nr:
- SISS26LDN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
20 115,00 kr
(exkl. moms)
25 143,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 28 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 6,705 kr | 20 115,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 188-4901
- Tillv. art.nr:
- SISS26LDN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 81.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212 | |
| Serie | SiSS26LDN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6.2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 31.5nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 57W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.3mm | |
| Höjd | 0.78mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 81.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212 | ||
Serie SiSS26LDN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6.2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 31.5nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 57W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.3mm | ||
Höjd 0.78mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanalig 60 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen IV effekt-MOSFET
Mycket låg RDS x Qg meritfaktor (FOM)
Stämd för lägsta RDS x Qoss FOM
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 81.2 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS26LDN
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 85 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -104 A -20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8SH, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSHA10DN
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 12.3 A 250 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS92DN
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 111.9 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS61DN
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 181.8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS60DN
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 108 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS05DN