Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 81.2 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS26LDN

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

17 379,00 kr

(exkl. moms)

21 723,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 04 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +5,793 kr17 379,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
188-4901
Tillv. art.nr:
SISS26LDN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

81.2A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

SiSS26LDN

Kapseltyp

PowerPAK 1212

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

6.2mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

31.5nC

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal effektförlust Pd

57W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

3.3mm

Höjd

0.78mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

Relaterade länkar