Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 108 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS05DN
- RS-artikelnummer:
- 188-4900
- Tillv. art.nr:
- SiSS05DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
19 323,00 kr
(exkl. moms)
24 153,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 28 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 6,441 kr | 19 323,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 188-4900
- Tillv. art.nr:
- SiSS05DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 108A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212 | |
| Serie | SiSS05DN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 65.7W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 16V | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 76nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 3.3mm | |
| Höjd | 0.78mm | |
| Längd | 3.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 108A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212 | ||
Serie SiSS05DN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 65.7W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 16V | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 76nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 3.3mm | ||
Höjd 0.78mm | ||
Längd 3.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
P-kanal 30 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen IV p-kanals effekt-MOSFET
Ger exceptionellt låg RDS(on) i en kompakt kapsling som är termiskt förstärkt
Möjliggör högre effekttäthet
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 108 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS05DN
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 108 A 45 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 111.9 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS61DN
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 35 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSH101DN
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 16.2 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS73DN
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 27 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 23 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 9.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, Si7121DN