DiodesZetex 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 7.6 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMT AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 146-4775
- Tillv. art.nr:
- DMTH6016LSD-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
65,58 kr
(exkl. moms)
81,98 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 120 enhet(er) från den 15 juni 2026
- Dessutom levereras 1 380 enhet(er) från den 22 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 + | 6,558 kr | 65,58 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 146-4775
- Tillv. art.nr:
- DMTH6016LSD-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 7.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOIC | |
| Serie | DMT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 28mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.4W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.7V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Längd | 4.95mm | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOIC | ||
Serie DMT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 28mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 1.4W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.7V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8.4nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Längd 4.95mm | ||
Höjd 1.5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Dubbel N-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 7.6 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 7.7 A 30 V Förbättring, 6 Ben, UDFN-2020, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 26.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 7.6 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 10.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, VDFN-3030, DMT AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 21.2 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8, DMT AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex 2 Typ N, Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 7.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 82 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMT AEC-Q101