Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 40 A 80 V N, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 851-501
- Tillv. art.nr:
- SIDR178DP-T1-RE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 1 enhet)*
36,85 kr
(exkl. moms)
46,06 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 11 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Tejp(er) | Per tejp |
|---|---|
| 1 - 9 | 36,85 kr |
| 10 - 99 | 24,08 kr |
| 100 - 499 | 16,91 kr |
| 500 - 999 | 14,11 kr |
| 1000 + | 13,33 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 851-501
- Tillv. art.nr:
- SIDR178DP-T1-RE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0029Ω | |
| Kanalläge | N | |
| Minsta arbetsstemperatur | 55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 375W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 105nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6.05mm | |
| Höjd | 1.04mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 Qualified | |
| Bredd | 5.25mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0029Ω | ||
Kanalläge N | ||
Minsta arbetsstemperatur 55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 375W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 105nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6.05mm | ||
Höjd 1.04mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 Qualified | ||
Bredd 5.25mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- TW
Vishays högpresterande N-kanal MOSFET, utformad för att möjliggöra effektiva strömomkopplingstillämpningar. Dess funktioner säkerställer tillförlitlig drift inom varierande spännings- och strömområden.
TrenchFET-teknik säkerställer låg påslagningsresistans och hög effektivitet
Kylning på ovansidan förbättrar värmeöverföringskapaciteten
Blyfri och halogenfri konstruktion stöder miljööverensstämmelse
Helt testad för tillförlitlighet med 100 % R- och UIS-tester
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 5.3 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 146 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 126 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 77.4 A 150 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 70.6 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 113 A 45 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 51.4 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay N Kanal, MOSFET, 65 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET