Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 180-7895
- Tillv. art.nr:
- SI3421DV-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
97,00 kr
(exkl. moms)
121,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 3 460 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 4,85 kr | 97,00 kr |
| 200 - 480 | 3,64 kr | 72,80 kr |
| 500 - 980 | 3,153 kr | 63,06 kr |
| 1000 - 1980 | 2,901 kr | 58,02 kr |
| 2000 + | 2,279 kr | 45,58 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 180-7895
- Tillv. art.nr:
- SI3421DV-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | TSOP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 19.2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.7W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 21nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3.1mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp TSOP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 19.2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 2.7W | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 21nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3.1mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishay MOSFET
Vishays ytmonterade P-kanal MOSFET är en ny produkt med en dräneringskällspänning på 30 V och en maximal grindkällspänning på 20 V. Den har drain-source-motstånd på 19,2 mohm vid en gate-source-spänning på 10 V. Den har en maximal effektförlust på 4,2 W och kontinuerlig dräneringsström på 8 A. Minsta och maximala drivspänning för denna transistor är 4,5 V respektive 10 V. MOSFET har optimerats för lägre omkopplings- och ledningsförluster. MOSFET erbjuder utmärkt effektivitet tillsammans med en lång och produktiv livslängd utan att kompromissa med prestanda eller funktionalitet.
Funktioner och fördelar
• Halogenfria
• Fri från bly (Pb)
• Driftstemperaturområden mellan -55 °C och 150 °C
• TrenchFET effekt MOSFET
Användningsområden
• Adapteromkopplare
• DC/DC-omvandlare
• För mobil databehandling/konsument
• Lastomkopplare
Certifieringar
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg-testad
• UIS-testat
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 12 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 5.4 A 80 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 2.3 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 4 A 20 V Förbättring, 8 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3.9 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -3.1 A -20 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET