Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 5.4 A 80 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 228-2817
- Tillv. art.nr:
- Si3129DV-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
246,75 kr
(exkl. moms)
308,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 275 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 9,87 kr | 246,75 kr |
| 250 - 600 | 8,902 kr | 222,55 kr |
| 625 - 1225 | 8,396 kr | 209,90 kr |
| 1250 - 2475 | 6,415 kr | 160,38 kr |
| 2500 + | 4,946 kr | 123,65 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 228-2817
- Tillv. art.nr:
- Si3129DV-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | TSOP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 82.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 4.2W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp TSOP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 82.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 4.2W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishays TrenchFET P-Channel Power MOSFET används för strömhantering av bärbara och konsumentlastswitchar och DC/DC-omvandlare.
100 % Rg och UIS-testad
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 5.4 A 80 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 12 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P Kanal Isolerad, Effekt-MOSFET, 2.3 A 30 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 4 A 20 V Förbättring, 8 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 3.9 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 2.2 A 80 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET