Vishay 2 Typ P Kanal Dubbel plus integrerad schottkydiod, MOSFET, 4.5 A 30 V, 6 Ben, PowerPAK SC-70-6L
- RS-artikelnummer:
- 180-7827
- Tillv. art.nr:
- SIA817EDJ-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (25 enheter, i en förpackning med 25)*
152,10 kr
(exkl. moms)
190,13 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 01 november 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 6,084 kr | 152,10 kr |
| 250 - 600 | 5,963 kr | 149,08 kr |
| 625 - 1225 | 4,498 kr | 112,45 kr |
| 1250 - 2475 | 3,598 kr | 89,95 kr |
| 2500 + | 2,737 kr | 68,43 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 180-7827
- Tillv. art.nr:
- SIA817EDJ-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | PowerPAK SC-70-6L | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.065Ω | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6.6nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 6.5W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.56V | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel plus integrerad schottkydiod | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 0.75mm | |
| Längd | 2.05mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 2.05mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp PowerPAK SC-70-6L | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.065Ω | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.6nC | ||
Maximal effektförlust Pd 6.5W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.56V | ||
Transistorkonfiguration Dubbel plus integrerad schottkydiod | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 0.75mm | ||
Längd 2.05mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 2.05mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishay SIA817EDJ är en P-kanal MOSFET med Schottky-diod med dränering till källspänning (Vds) på -30 V. Den har konfiguration av dubbel plus integrerad Schottky. Grind till källspänning (VGS) är 12 V. Den har kraft PAK SC-70-paket. Den erbjuder drain-till-källresistans (RDS.) 0,065 ohm vid 10 VGS och 0,08 ohm vid 4,5 VGS. Maximal dräneringsström -4,5 A.
Liten fot plus Schottky-effekt-MOSFET
Termiskt förbättrat Power PAK SC-70-paket, litet fotavtryck, låg påslagningsresistans, tunn 0,75 mm-profil
Typiskt ESD-skydd (MOSFET): 1500 V (HBM)
Relaterade länkar
- Vishay 2 Typ P Kanal Dubbel plus integrerad schottkydiod, MOSFET, 4.5 A 30 V, 6 Ben, PowerPAK SC-70-6L
- Vishay, IGBT, N Kanal, 6 Ben, PowerPAK SC-70-6L Yta
- Vishay, IGBT, Typ P Kanal, 6 Ben, PowerPAK SC-70-6L Yta
- Vishay 1 Typ P Kanal Enkel, MOSFET, 29.7 A 20 V, 6 Ben, PowerPAK SC-70-6L
- Vishay 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 4 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8 dubbel, TrenchFET
- Vishay Dubbel N Kanal, Enkla MOSFETs, 7.1 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK, SIS9122
- Vishay 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 101 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSF06DN
- Vishay 4 Dubbel N Kanal, MOSFET, 6 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, SIS9634LDN