Vishay 2 Typ P Kanal Dubbel plus integrerad schottkydiod, MOSFET, 4.5 A 30 V, 6 Ben, PowerPAK SC-70-6L

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
RS-artikelnummer:
180-7339
Tillv. art.nr:
SIA817EDJ-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

PowerPAK SC-70-6L

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

0.065Ω

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

560mV

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

6.6nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

12V

Maximal effektförlust Pd

6.5W

Transistorkonfiguration

Dubbel plus integrerad schottkydiod

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

2.05mm

Höjd

750μm

Längd

2.05mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
Vishay SIA817EDJ är en P-kanal MOSFET med Schottky-diod med dränering till källspänning (Vds) på -30 V. Den har konfiguration av dubbel plus integrerad Schottky. Grind till källspänning (VGS) är 12 V. Den har kraft PAK SC-70-paket. Den erbjuder drain-till-källresistans (RDS.) 0,065 ohm vid 10 VGS och 0,08 ohm vid 4,5 VGS. Maximal dräneringsström -4,5 A.

Liten fot plus Schottky-effekt-MOSFET

Termiskt förbättrat Power PAK SC-70-paket, litet fotavtryck, låg påslagningsresistans, tunn 0,75 mm-profil

Typiskt ESD-skydd (MOSFET): 1500 V (HBM)

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.