Vishay Siliconix Typ P Kanal, MOSFET, 9.4 A 200 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

14 493,00 kr

(exkl. moms)

18 117,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 9 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +4,831 kr14 493,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
178-3718
Tillv. art.nr:
SQJ431AEP-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay Siliconix
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay Siliconix

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

9.4A

Maximal källspänning för dränering Vds

200V

Serie

TrenchFET

Kapseltyp

SO-8

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

760mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

68W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

55nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

-1.2V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

5 mm

Höjd

1.07mm

Längd

5.99mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

RoHS-status: Undantagen

COO (ursprungsland):
CN
TrenchFET® power MOSFET

Relaterade länkar