Vishay N Kanal, MOSFET, 3.3 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, IRF

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (50 enheter, i ett rör med 50)*

322,55 kr

(exkl. moms)

403,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 2 000 enhet(er) levereras från den 21 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 506,451 kr322,55 kr
100 - 2005,484 kr274,20 kr
250 +4,838 kr241,90 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
178-0853
Tillv. art.nr:
IRF610PBF
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

3.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

200V

Kapseltyp

TO-220

Serie

IRF

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.5Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

8.2nC

Maximal effektförlust Pd

36W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20, +20V

Framåtriktad spänning Vf

2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

9.01mm

Längd

10.41mm

Bredd

4.7mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

N-kanal MOSFET, 200 V till 250 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.