Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 6.1 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, IRFPG50
- RS-artikelnummer:
- 178-0788
- Tillv. art.nr:
- IRFPG50PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Få en mängdrabatt
Lägg till 50 till för att spara 61,60 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 25 enheter)*
1 024,80 kr
(exkl. moms)
1 281,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 450 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 25 - 25 | 40,992 kr | 1 024,80 kr | - |
| 50 - 100 | 39,76 kr | 994,00 kr | 61,60 kr |
| 125 + | 38,12 kr | 953,00 kr | 359,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 178-0788
- Tillv. art.nr:
- IRFPG50PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6.1A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1kV | |
| Serie | IRFPG50 | |
| Kapseltyp | TO-247AC | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 190W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 190nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.8V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 15.87mm | |
| Bredd | 5.31mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 20.7mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6.1A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1kV | ||
Serie IRFPG50 | ||
Kapseltyp TO-247AC | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 190W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 190nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.8V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 15.87mm | ||
Bredd 5.31mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 20.7mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay IRFPG50-serien effekt-MOSFET, 1000 V drain-källspänning, 190 W effektförlust - IRFPG50PBF
Denna effekt-MOSFET är en högspännings-N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för omkoppling och strömstyrning i krävande industriella miljöer. Den ger hög dränering-till-källspänningskapacitet och är avsedd för genomgående hålmontering i strömförsörjningsenheter där robust termisk och elektrisk prestanda krävs över ett brett omgivningsområde.
Funktioner och fördelar:
• 1000 V-klassning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• 6.1 A kontinuerlig dräneringsström stöder måttliga belastningsströmmar
• Maximal förlust på 190 W möjliggör hållbar effekthantering
• Maximal Rds(on) på 2 Ω förenklar grindstyrning och termisk design
• 190 nC typisk grindladdning informerar grinddrivarens energibudgetering
• Gränstolerans på 20 V möjliggör flexibla gränssnittsmarginaler
• 6.1 A kontinuerlig dräneringsström stöder måttliga belastningsströmmar
• Maximal förlust på 190 W möjliggör hållbar effekthantering
• Maximal Rds(on) på 2 Ω förenklar grindstyrning och termisk design
• 190 nC typisk grindladdning informerar grinddrivarens energibudgetering
• Gränstolerans på 20 V möjliggör flexibla gränssnittsmarginaler
Användningsområden
• Lämplig för högspänningsströmförsörjningar och omvandlare
• Idealisk för industriella motorstyrningsfrontändar
• Används för växelriktare och UPS-omkopplingssteg
• Kan användas för omkoppling av resistiv last i testutrustning
• Lämplig för genomgående hålprototyper och reparationsscenarier
• Idealisk för industriella motorstyrningsfrontändar
• Används för växelriktare och UPS-omkopplingssteg
• Kan användas för omkoppling av resistiv last i testutrustning
• Lämplig för genomgående hålprototyper och reparationsscenarier
Vilket paket och monteringsmetod använder den?
Den levereras i en TO-247AC-kapsel utformad för genomgående hålmontering för att möjliggöra tillförlitlig fästning av kort och kylelement.
Inom vilket temperaturområde är den klassad för att fungera?
Den är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med stora temperaturvariationer.
Hur många stift finns det och hur påverkar det layouten?
Enheten har tre stift, vilket möjliggör standardiserade MOSFET-kretskortslayouter med en kanal och konventionell grind-, drain- och källriktning.
Vad är enhetens framspänning och hur påverkar det omkopplingsförlusterna?
Framspänningen är 1.8 V vilket bidrar till lednings- och växlingsenergiberäkningar när den används i kretsar med diodlednings- eller kroppsdiodhändelser.
Relaterade länkar
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 6.1 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, IRFPG50
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 3.1 A 1 kV, 3 Ben, TO-247AC, IRFPG30
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 16 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, IRFP
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 38 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, IRFP264
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 23 A 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, IRFP360
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 350 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, HEXFET
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 171 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, HEXFET
- Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 70 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-247AC, IRFP064