Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 3.1 A 1 kV, 3 Ben, TO-247AC, IRFPG30

RS-artikelnummer:: 256-7301
Tillv. art.nr:: IRFPG30PBF
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 3.1 A 1 kV, 3 Ben, TO-247AC, IRFPG30

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

52,50 kr

(exkl. moms)

65,62 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

404 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
2 +	26,25 kr	52,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 256-7301
Tillv. art.nr:: IRFPG30PBF
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	3.1A
	Maximal källspänning för dränering Vds	1kV
	Kapseltyp	TO-247AC
	Serie	IRFPG30
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	5Ω
	Maximal effektförlust Pd	125W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Framåtriktad spänning Vf	1.8V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	80nC
	Maximal arbetstemperatur	+150°C
	Höjd	5.21mm
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp N
	Produkttyp Effekt-MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 3.1A
	Maximal källspänning för dränering Vds 1kV
	Kapseltyp TO-247AC
	Serie IRFPG30
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 5Ω
	Maximal effektförlust Pd 125W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Framåtriktad spänning Vf 1.8V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC
	Maximal arbetstemperatur +150°C
	Höjd 5.21mm
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard Nej

Vishay IRFPG30-serien effekt-MOSFET, 1000 V maximal drain-källspänning, 125 W maximal effektförlust – IRFPG30PBF

Denna effekt-MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal som är utformad för omkopplings- och strömomvandlingsuppgifter i krävande miljöer. Den fungerar i ett brett temperaturområde och levereras i en hålkapsling för robust montering och termisk hantering, vilket gör den lämplig för industriella och högspänningstillämpningar där kontrollerad omkoppling och värmeavledning krävs.

Funktioner och fördelar:

• 1000 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsomkopplingsförmåga
• 3,1 A kontinuerlig ström stöder måttlig lastledning
• 125 W avledning möjliggör hållbar effekthantering under belastning
• Maximal RDS(on) på 5 Ω begränsar ledningsförluster vid nominella förhållanden
• 80 nC typisk grindladdning ger förutsägbar omkopplingsenergi
• 20 V gate-tolerans skyddar mot överdriven gate-drivenhet

Användningsområden

• Lämplig för högspänningsströmförsörjningar och omvandlare
• Används i industriella motorstyrningsstegen
• Idealisk för omkoppling i induktionsvärmesystem
• Kan användas för överspännings- eller klämkretsar på linjesidan
• Används för utbildnings- och prototypframtagning med genomgående hål

Vilken monteringsmetod krävs för installation?

Den levereras i en TO-247AC-förpackning med genomgående hål avsedd för bult- eller lödmontering på ett kretskort och kylelementgränssnitt för effektiv termisk koppling.

Hur beter den sig i extrema temperaturer?

Enheten är klassad för drift från -55 °C upp till +150 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med stora variationer i omgivnings- och kopplingstemperatur.

Vilka begränsningar för grinddrivning bör konstruktörer observera?

Grinden måste drivas inom ±20 V max för att undvika överskridande av grind-källspänningsgränser och för att upprätthålla tillförlitlig omkoppling.

Finns det några material- eller miljöbegränsningar?

Den uppfyller RoHS-kraven, vilket begränsar vissa farliga ämnen i sin konstruktion.