onsemi N Kanal, MOSFET, 157 A 80 V Förbättring, 5 Ben, DFN, NTMFS6H801N

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1500 enheter)*

15 586,50 kr

(exkl. moms)

19 483,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 23 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1500 +10,391 kr15 586,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
172-8785
Tillv. art.nr:
NTMFS6H801NT1G
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

157A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Serie

NTMFS6H801N

Kapseltyp

DFN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

5

Maximal drain-källresistans Rds

4.4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

166W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

64nC

Framåtriktad spänning Vf

0.8V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

6.1mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.1mm

Bredd

5.1mm

Fordonsstandard

Nej

Kommersiell effekt-MOSFET i ett 5 x 6 mm flatkabelpaket utformat för kompakta och effektiva konstruktioner och inklusive hög termisk prestanda.

Litet fotavtryck (5 x 6 mm)

Kompakt design

Låg RDS(on)

Minimera ledningsförluster

Låg QG och kapacitans

Minimera drivförluster

Användningsområden

Växlande strömförsörjning

Strömbrytare (High Side-drivare, Low Side-drivare, H-bryggor etc.)

48 V-system

Motorstyrning

Lastväxlare

DC/DC-omvandlare

Synkroniserad korrigering:

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.