onsemi N Kanal, MOSFET, 157 A 80 V Förbättring, 5 Ben, DFN, NTMFS6H801N
- RS-artikelnummer:
- 172-8986
- Tillv. art.nr:
- NTMFS6H801NT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
161,50 kr
(exkl. moms)
201,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 275 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 32,30 kr | 161,50 kr |
| 50 - 95 | 27,844 kr | 139,22 kr |
| 100 - 495 | 24,17 kr | 120,85 kr |
| 500 - 995 | 21,212 kr | 106,06 kr |
| 1000 + | 19,308 kr | 96,54 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 172-8986
- Tillv. art.nr:
- NTMFS6H801NT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 157A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | NTMFS6H801N | |
| Kapseltyp | DFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 166W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.8V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 64nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 5.1mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 157A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie NTMFS6H801N | ||
Kapseltyp DFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 166W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.8V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 64nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 5.1mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Kommersiell effekt-MOSFET i ett 5 x 6 mm flatkabelpaket utformat för kompakta och effektiva konstruktioner och inklusive hög termisk prestanda.
Litet fotavtryck (5 x 6 mm)
Kompakt design
Låg RDS(on)
Minimera ledningsförluster
Låg QG och kapacitans
Minimera drivförluster
Användningsområden
Växlande strömförsörjning
Strömbrytare (High Side-drivare, Low Side-drivare, H-bryggor etc.)
48 V-system
Motorstyrning
Lastväxlare
DC/DC-omvandlare
Synkroniserad korrigering:
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 157 A 80 V Förbättring, 5 Ben, DFN, NTMFS6H801N
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 157 A 80 V Förbättring, 5 Ben, DFN, NVMFS6H801N AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 136 A 80 V Förbättring, 8 Ben, DFN, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 123 A 80 V Förbättring, 5 Ben, DFN, NTMFS6H818N
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 203 A 80 V Förbättring, 5 Ben, DFN, NTMFS6H800N
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 337 A 80 V Förbättring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 135 A 80 V Förbättring, 5 Ben, DFN-5, NTMFS3
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 154 A 80 V Förbättring, 5 Ben, DFN-5, NTMFS