onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 154 A 80 V Förbättring, 5 Ben, DFN-5, NTMFS
- RS-artikelnummer:
- 220-604
- Tillv. art.nr:
- NTMFS3D0N08XT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 5 enheter)*
155,34 kr
(exkl. moms)
194,175 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 920 enhet(er) från den 11 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 31,068 kr | 155,34 kr |
| 50 - 95 | 29,524 kr | 147,62 kr |
| 100 - 495 | 27,418 kr | 137,09 kr |
| 500 - 995 | 25,132 kr | 125,66 kr |
| 1000 + | 24,17 kr | 120,85 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-604
- Tillv. art.nr:
- NTMFS3D0N08XT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 154A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | NTMFS | |
| Kapseltyp | DFN-5 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 133W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6.15mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Standarder/godkännanden | Pb-Free, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 154A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie NTMFS | ||
Kapseltyp DFN-5 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 133W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6.15mm | ||
Höjd 1mm | ||
Standarder/godkännanden Pb-Free, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
ON Semiconductor Power MOSFET-teknik med klassens bästa on-resistans för motorstyrningstillämpningar. Lägre påslagningsresistans och mindre grindladdning kan minska ledningsförluster och drivförluster. Bra mjukhetskontroll för omvänd återställning av kroppsdiod kan minska spänningsspikspänning utan extra snubberkrets i applikationen.
Halogenfri
RoHS-märkt
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 181 A 80 V Förbättring, 5 Ben, DFN-5, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 119 A 80 V Förbättring, 5 Ben, DFN-5, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 414 A 40 V Förbättring, 5 Ben, DFN-5, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 40 V Förbättring, 5 Ben, DFN-5, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 509 A 40 V Förbättring, 5 Ben, DFN-5, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 380 A 40 V Förbättring, 5 Ben, DFN-5, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 349 A 40 V Förbättring, 5 Ben, DFN-5, NTMFS
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 278 A 40 V Förbättring, 5 Ben, DFN-5, NTMFS