onsemi 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 145 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN, NVMFD5C446NL AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 172-3377
- Tillv. art.nr:
- NVMFD5C446NLT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
290,42 kr
(exkl. moms)
363,02 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 580 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 29,042 kr | 290,42 kr |
| 100 - 240 | 25,043 kr | 250,43 kr |
| 250 + | 21,706 kr | 217,06 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 172-3377
- Tillv. art.nr:
- NVMFD5C446NLT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 145A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | NVMFD5C446NL | |
| Kapseltyp | DFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.8V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Bredd | 5.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.1mm | |
| Höjd | 1.05mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 145A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie NVMFD5C446NL | ||
Kapseltyp DFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.8V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Bredd 5.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.1mm | ||
Höjd 1.05mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Automotive Power MOSFET i ett DPAK-paket utformat för kompakta och effektiva konstruktioner och inklusive hög termisk prestanda. MOSFET- och PPAP-kapacitet lämplig för fordonstillämpningar.
Låg på-resistans
Minimala ledningsförluster
Hög strömkapacitet
Robust belastningsprestanda
Överspänningsskydd
Användningsområden
Low-side-drivdon
Drivare till höga sidan
Motordrivning
Fordonsdrivdon
Fordons-HVAC-motorer
ABS tryckpumpar
Relaterade länkar
- onsemi 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 145 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN, NVMFD5C446NL AEC-Q101
- onsemi 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 84 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN, NVMFD5C462NL AEC-Q101
- onsemi 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 52 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN, NVMFD5C466NL AEC-Q101
- onsemi 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 49 A 60 V Förbättring, 8 Ben, DFN, NVMFD5C672NL AEC-Q101
- onsemi 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 111 A 60 V Förbättring, 8 Ben, DFN, NVMFD5C650NL AEC-Q101
- onsemi 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 36 A 40 V Förbättring, 8 Ben, DFN, NVMFD5C470NL AEC-Q101
- onsemi 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 26 A 60 V Förbättring, 8 Ben, DFN, NVMFD5C680NL AEC-Q101
- onsemi 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 42 A 60 V Förbättring, 8 Ben, DFN, NVMFD5C674NL AEC-Q101