Toshiba N Kanal, MOSFET, 400 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 100 enheter)*

32,10 kr

(exkl. moms)

40,10 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 200 enhet(er) från den 14 september 2026
  • Dessutom levereras 5 700 enhet(er) från den 21 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
100 +0,321 kr32,10 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
171-2528
Tillv. art.nr:
T2N7002BK
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Toshiba

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

400mA

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SOT-23

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.75Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

1W

Framåtriktad spänning Vf

-0.79V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.39nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

2.9mm

Bredd

1.3mm

Höjd

0.9mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
TH
Höghastighetsomkoppling

ESD(HBM)-nivå 2 kV

Lågt drain-source-motstånd på

RDS(ON) = 1,05 Ω (typ.) (vid VGS = 10 V)

RDS(ON) = 1,15 Ω (typ.) (@VGS = 5,0 V)

RDS(ON) = 1,2 Ω (typ.) (@VGS = 4,5 V)

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.